本申请公开了一种曝光辅助图案、掩膜版以及半导体器件的制造方法，曝光辅助图案包括至少一辅助图形，靠近掩膜版上的主图形设置，以在主图形曝光转移至基底上时，至少一辅助图形改善主图形的末端收缩，其中，每个辅助图形包括主体部和端部，主体部对应于主图形，且主体部的延伸方向与主图形的延伸方向平行；端部对应于主图形的末端，其中，端部连接主体部，且端部的宽度大于主体部的宽度，主体部与主图形之间的距离大于端部与主图形的末端之间的距离。上述公开的曝光辅助图案，能够有效改善主图形的末端的收缩，提升光刻成像质量。