一种双光子无掩膜曝光系统
授权
摘要

本实用新型公开了一种双光子无掩膜曝光系统,其包括光源、扩束单元、照明单元、光学引擎阵列、基板和移动平台,光源用于光源输出可见光或近红外光的激光光束;扩束单元用于将入射到激光光束的光斑面积增大,以使经由照明单元入射到光学引擎阵列的入射面的激光光束;照明单元对入射的激光光束光斑的每一点的能量进行均匀处理,光学引擎阵列生成曝光所需的曝光图案,移动平台安装在稳定的平台上,用于移动所需曝光的基板,基板涂覆有光刻胶层,光学引擎阵列出射的曝光光束照射到光刻胶层上,将该曝光图案转换到基板上。本实用新型能够有效提高无掩膜曝光时候图像的分辨率,能够高效快速地大面积曝光,从而提高生产效率与生产质量。

基本信息
专利标题 :
一种双光子无掩膜曝光系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020458866.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-01
授权号 :
CN211741831U
授权日 :
2020-10-23
发明人 :
朱天宇梅文辉杜卫冲
申请人 :
中山新诺科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省中山市火炬开发区明珠路3号之一
代理机构 :
北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
石辉
优先权 :
CN202020458866.8
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2020-10-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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