光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质
实质审查的生效
摘要
一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质,所述光学邻近矫正方法包括:提供原始图形;获取所述原始图形中的刻蚀窗口;获取所述刻蚀窗口边界内侧的膜层,作为内侧膜层,以及获取所述刻蚀窗口边界外侧的膜层,作为外侧膜层;判断所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料是否相同;当所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料不同时,将所述内侧膜层和外侧膜层的边界标记为待处理边界;沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向,对所述待处理边界进行扩展,获得图形。本发明实施例有利于增大光刻和刻蚀工艺的窗口,降低出现栅栏缺陷的几率。
基本信息
专利标题 :
光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114442421A
申请号 :
CN202011188200.6
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-10-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汪涵杨芸郑凯高颖彭凡珊
申请人 :
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢一层
代理机构 :
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
高静
优先权 :
CN202011188200.6
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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