光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质
实质审查的生效
摘要

一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质,光学邻近矫正方法包括:提供图形区,包括多个主图形;获取辅助图形的设置规则;基于设置规则在主图形周围设置第一辅助图形;设置规则包括辅助图形与主图形之间的第一线端距离以及相邻辅助图形之间的第二线端距离,辅助图形与主图形之间的第一间距以及相邻辅助图形之间的第二间距;基于第一线端距离、第二线端距离、第一间距和第二间距,对主图形和第一辅助图形的边缘进行扩展,获得设置禁止区域,剩余区域用于作为设置许可区域;对设置许可区域进行设置规则检查;当设置许可区域满足设置规则时,在设置许可区域中设置第二辅助图形。本发明实施例提高光学邻近矫正的精度和效果。

基本信息
专利标题 :
光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114326286A
申请号 :
CN202011061135.0
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
游亚平倪昶吴宗晔
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
代理机构 :
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
高静
优先权 :
CN202011061135.0
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36  G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20200930
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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