光刻校正方法

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摘要

本发明涉及一种光刻校正方法，包括：提供一待光刻晶圆，待光刻晶圆内具有浅沟槽隔离；获取待光刻晶圆内的浅沟槽隔离的实际深度；将浅沟槽隔离的实际深度与目标深度进行比对以得到深度偏差量；根据深度偏差量对光刻参数进行补偿，以对光刻进行校正。上述光刻校正方法能避免浅沟槽隔离深度偏差对光刻精度造成影响，使得光刻出来的图形结构更精准，减少返工次数，提高生产效率，节约生产成本。

基本信息

专利标题：

光刻校正方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112859525A

申请号：

CN201911179951.9

公开（公告）日：

2021-05-28

申请日：

2019-11-27

授权号：

CN112859525B

授权日：

2022-04-08

发明人：

刘京

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

史治法

优先权：

CN201911179951.9

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20