光刻方法及装置
实质审查的生效
摘要
公开了一种光刻方法,包括:形成光刻胶,所述光刻胶包括多个待曝光区;采用一次曝光过程对所述待曝光区进行曝光,所述一次曝光过程包括至少两个不同的光脉冲,所述至少两个不同的光脉冲对所述待曝光区进行曝光的等效景深,大于或等于各所述待曝光区中所述光刻胶之间的最大厚度差;其中,任意两个所述光脉冲的波长或/和能量不同。本发明还提供一种光刻装置,在一次曝光过程中至少使用两个不同的光脉冲,通过调节每个光脉冲的波长以及能量,使得对所述待曝光区进行曝光的等效景深大于或者等于各所述待曝光区中的光刻胶之间的最大厚度差,优化光刻胶的形貌以及增大光刻工艺窗口,提高产品的良率以及可靠性。
基本信息
专利标题 :
光刻方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114545742A
申请号 :
CN202210154774.4
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
袁元方超陈航卫
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
岳丹丹
优先权 :
CN202210154774.4
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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