本发明涉及光刻材料技术领域，特别是涉及光刻胶下层材料组合物及其制备方法、光刻胶下涂层。本发明通过采用具有式I所示的重复单元，且重均分子量为1000Da～50000Da的聚合物作为光刻胶下层材料组合物的组分，并控制每个重复单元中的羟基数目，可以使该聚合物具有合适的碱溶性，形成涂层后在碱性显影液中具有合适的溶解度，能在30～150秒的最佳显影时间范围内部分溶解，从而与其上层的光刻胶层共同形成易于剥离的结构；此外，该组合物形成的涂层在光刻胶常用溶剂中溶解性差，因此与光刻胶层具有较好的粘接度，不易在处理过程中出现与光刻胶分离的情况，因此不会对光刻图案的精细程度造成负面影响。