正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及光刻材料技术领域,特别是涉及一种正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺。本发明通过选用聚酰胺作为原料,并在其芳环上修饰羟基,以调整聚酰胺在光刻胶溶剂中的溶解性,且可以提供与交联剂反应的位点。聚酰胺树脂与交联剂的反应产物溶解性下降,被固化于基材表面形成胶膜;光刻过程中,曝光部分的光酸发生剂产生光酸,使得架桥解离,再次变成可以被碱性显影液洗去的聚酰胺和交联剂,从而使未曝光部分的图案得以保留。由于聚酰胺与交联剂形成的架桥作用力较弱,即使是较弱的光酸产生剂也能适用于本发明的方案,从而拓宽了光刻胶成品的应用范围;而且,由于光刻胶结构中引入了聚酰胺,光刻胶成品膜的耐热性能有明显的提升。
基本信息
专利标题 :
正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114460810A
申请号 :
CN202210167588.4
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2022-02-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王晓伟
申请人 :
苏州理硕科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城12幢401-88
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
向薇
优先权 :
CN202210167588.4
主分类号 :
G03F7/039
IPC分类号 :
G03F7/039 G03F7/004 G03F7/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/039
可光降解的高分子化合物,例如,正电子抗蚀剂
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/039
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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