一种新型光刻胶去除工艺
公开
摘要
本发明公开了一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片，S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液，S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除，S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面，S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。一种新型光刻胶去除工艺，通过固态二氧化碳颗粒轰击光刻胶，可以对光刻胶表面的硬壳造成足够高的损伤，这样清洗液可以进入到硬壳下方，将光刻胶去除，使得清洗更加方便。
基本信息
专利标题 ：
一种新型光刻胶去除工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545746A
申请号 ：
CN202210058340.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭光辉
申请人 ：
济南晶硕电子有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市章丘区官庄街道养军村西
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210058340.4
主分类号 ：
G03F7/42
IPC分类号 ：
G03F7/42 H01L21/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/26
感光材料的处理及其设备
G03F7/42
剥离或剥离剂
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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