光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
授权
摘要
提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
基本信息
专利标题 ：
光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101095379A
申请号 ：
CN200580045692.0
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
稻泽刚一郎瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩萩原正明西村荣一
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200580045692.0
主分类号 ：
H05H1/24
IPC分类号 ：
H05H1/24
法律状态
2011-11-16 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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