本发明实施例提供一种光刻胶去除方法及去除装置，光刻胶去除方法包括：提供衬底以及位于所述衬底上的光刻胶，所述光刻胶包括内核层以及覆盖所述内核层表面的外壳层，所述外壳层掺杂的离子浓度大于所述内核层掺杂的离子浓度；对所述光刻胶进行至少一次去壳处理，直至去除全部所述外壳层；其中，单次所述去壳处理包括：对所述外壳层进行水汽处理，以软化至少部分所述外壳层，形成软外壳层；去除所述软外壳层；去除全部所述外壳层之后，去除所述内核层。本发明实施例有利于解决去除光刻胶时发生光刻胶鼓泡破裂，产生聚合物杂质，进而产生大量缺陷，影响半导体器件良率的问题。