一种刻蚀物去除装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种刻蚀物去除装置，包括：接板室、温度控制室、湿法刻蚀室、出板室和传送装置，以及位于温度控制室内的控温系统，刻蚀物在传送装置的带动下，依次通过接板室、湿法刻蚀室和出板室；还包括清洗机构，包括位于接板室和湿法刻蚀室之间的第一清洗室；位于湿法刻蚀室和出板室之间的第二清洗室；以及位于第二清洗室和出板室之间的干燥室；清洗机构包括溢流槽，溢流槽为上开口结构，用于去除漂浮杂质；传送装置包括由若干传送辊并行排列组成的的传送棍路，本实用新型通过溢流的方式去除刻蚀漂浮杂质，省去了高压冲洗的步骤，且设备成本较低，并且通过后续高压吸气去除水分，在干燥的同时还能够对杂质起到进一步的去除作用。
基本信息
专利标题 ：
一种刻蚀物去除装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220258792.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
CN216719888U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
代智杰周广福韩广龙
申请人 ：
苏州昶明微电子科技合伙企业（有限合伙）
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星明街288号星明大厦235室
代理机构 ：
北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李祥旗
优先权 ：
CN202220258792.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 B08B3/04 F26B5/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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