一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法,其可提高铝衬垫聚合物去除效果,同时可避免铝衬垫被腐蚀,提供一半导体结构,半导体结构包括衬底、铝衬垫,铝衬垫制作方式为:在衬底最顶层依次沉积铝衬垫层、抗反射层、光刻胶层,采用光刻工艺依次对相应区域光刻胶层进行光刻,采用第一次干法刻蚀对相应区域的剩余光刻胶层、抗反射层、铝衬垫层进行刻蚀,获取铝衬垫,同时在铝衬垫表面生成聚合物,聚合物中残余氯离子,采用第二次干法刻蚀对剩余光刻胶层、聚合物进行刻蚀,第二次干法刻蚀气体包括氢气与氮气的混合气体、氧气、水气、氮气,借助氢气中的氢离子与聚合物中残余的氯离子反应,生成氯化氢气体,采用第一次湿法清洗对聚合物进行清洗。
基本信息
专利标题 :
一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388360A
申请号 :
CN202210033150.7
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
傅海林叶甜春朱纪军罗军李彬鸿赵杰
申请人 :
澳芯集成电路技术(广东)有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区香雪大道中85号1601-1607房
代理机构 :
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
苗雨
优先权 :
CN202210033150.7
主分类号 :
H01L21/311
IPC分类号 :
H01L21/311 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载