一种基于干法刻蚀制备固态纳米孔的方法及装置
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摘要
本发明公开了一种基于干法刻蚀制备固态纳米孔的方法及装置,其步骤如下:在示踪气体环境中,将下半部经刻蚀形成锥型微腔的硅基衬底与上半部经刻蚀形成刻蚀槽的键合基底键合,组成示踪气体存储腔;在干法刻蚀设备中,使用等离子体对键合硅基衬底的上半部进行干法刻蚀,形成刻蚀窗口;气体检漏传感器与四极杆质谱仪检测系统相连,并通过控制终端实现纳米孔制备过程中的实时监控及刻蚀终止控制,刻蚀终止后,在刻蚀窗口与锥型微腔锥尖的连接处制得固态纳米孔及其阵列。该方法具备在等离子体环境下高灵敏度、低延时的刻蚀终止控制能力,一定程度上能缓解纳米孔制备过程中的过刻蚀问题,实现小孔径固态纳米孔及其阵列的可控性制备。
基本信息
专利标题 :
一种基于干法刻蚀制备固态纳米孔的方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110329984A
申请号 :
CN201910490542.4
公开(公告)日 :
2019-10-15
申请日 :
2019-06-06
授权号 :
CN110329984B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
刘泽文叶黎陈琦
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
北京市海淀区清华园1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
廖元秋
优先权 :
CN201910490542.4
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00 B82Y35/00 B82Y40/00
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-05-03 :
授权
2019-11-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20190606
申请日 : 20190606
2019-10-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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