一种基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，在干法刻蚀前通过半导体基板表面进行除渣处理以去除半导体基板表面残留的光刻胶，避免氮化硅层刻蚀不彻底导致SIF4残留。氮化硅层被含碳和氟的气体刻蚀后产生反应副产物氟碳链聚合物，在通入一定比例的氮气和氢气的混合气体对半导体基板的表面的氟碳聚合物进行去除，并且辅助加入氧气后对半导体基板的表面的氟碳聚合物的去除效果更好，能有效提高去除效率，避免氟碳聚合物对半导体基板上的焊盘造成腐蚀，提高器件的良率和可靠性。与湿法去氟工艺相比，本发明能够减少多道工序，简化生产流程，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464528A
申请号 ：
CN202111643127.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
简振煌吴志峰
申请人 ：
泉州市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
连耀忠
优先权 ：
CN202111643127.1
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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