提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法,提供刻蚀机以及衬底;衬底上形成有浮栅,浮栅上形成有氮化硅层;在氮化硅层上淀积底部抗反射涂层和光刻胶层,再利用光刻打开光刻胶层,使得其下方的底部抗反射涂层裸露;利用射频单元产生射频波,利用反应气体供应系统提供反应气体输送至刻蚀腔体,并将射频波发送至下电极,使得反应气体解离为等离子气体;利用等离子气体刻蚀裸露出的底部抗反射涂层以及其下方的氮化硅层,形成沟槽。本发明在高密度等离子能量分布的刻蚀腔体中,可以对刻蚀用的反应气体碳氟比中的含碳的聚合物气体减少,从而得到更清洁的刻蚀气氛,进而得到稳定的垂直形貌。

基本信息
专利标题 :
提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446775A
申请号 :
CN202210021104.5
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张振兴
申请人 :
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
刘昌荣
优先权 :
CN202210021104.5
主分类号 :
H01L21/28
IPC分类号 :
H01L21/28  C09K13/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20220110
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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