本发明提供一种浮栅型闪存器的制造方法，提供半导体结构，包括存储阵列以及与存储阵列处于相邻位置的逻辑区域；之后对存储阵列的硅进行回刻；生长栅极氧化物；沉积浮栅覆盖半导体结构；沉积氧化硅；之后去除逻辑区域的浮栅和氧化硅；沉积氮化硅覆盖存储阵列和逻辑区域；之后在存储阵列和逻辑区域分别形成STI并进行表面平坦化；去除氮化硅和氧化硅。本发明在现有的Si回刻基础上进一步提高回刻量，通过控制回刻厚度，保证后续Al CMP工艺时存储阵列和逻辑区域的高度接近，并在栅极氧化物和浮栅沉积之后继续沉积一层氧化硅，使STI CMP时存储阵列和逻辑区域的高度接近，STI CMP完成后通过刻蚀工艺除去这一层氧化硅，并继续完成后续标准工艺。