堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种新的堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器及其制造方法。本发明的堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器具有堆叠栅结构，其中的浮栅构成厚度不同的两个区域，在区域中，一个区域注入氮离子，在热氧化过程中，注入了氮离子的区域的氧化物生长速度慢，形成比较薄的氧化物层区域；而另一个区域没有注入氮离子，因此形成比较厚的氧化物层，两个氧化物层厚度不同的区域之间的界面处产生强横向电场，使电子容易从源一侧向浮栅注入，提高了存储单元的读写速度。本发明的堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器既具有现有的堆叠栅闪存储器集成高的优点，还具有分栅闪存储器读写速度快的优点。

基本信息

专利标题：

堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101000929A

申请号：

CN200610023207.6

公开（公告）日：

2007-07-18

申请日：

2006-01-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨濬哲

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200610023207.6

主分类号：

H01L29/788

IPC分类号：

H01L29/788 H01L29/423 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/28 H01L21/8247

法律状态

2019-12-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20091118
终止日期 : 20190111

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259513181
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利号 : ZL2006100232076
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-11-18 ：

授权

2007-09-12 ：

实质审查的生效

2007-07-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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