具有掩埋浮栅结构的闪存单元及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种具有掩埋浮栅结构的闪存单元和制造该闪存单元的方法。该闪存单元包括半导体衬底、控制栅、介电层、浮栅、浮栅、隧道氧化物层以及源区和漏区。控制栅形成在半导体衬底上，并由第一传导层形成。介电层形成在半导体衬底表面和控制栅之间。浮栅在介电层之下埋入半导体衬底，并由第二传导层形成。隧道氧化物层形成为在半导体衬底内围绕浮栅。源区和漏区互相分隔开，在半导体衬底内的浮栅和隧道氧化物层被设置在源区和漏区之间。
基本信息
专利标题 ：
具有掩埋浮栅结构的闪存单元及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111939A
申请号 ：
CN200680003851.5
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张伦铢朴光五宋福男崔乘旭金汉兴
申请人 ：
株式会社伊柯塞尔半导体
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余朦
优先权 ：
CN200680003851.5
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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