分栅快闪存储单元及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；第一分栅结构和第二分栅结构，均包括浮栅、控制栅及字线栅，其中所述浮栅和所述控制栅依次堆叠于所述衬底上，所述字线栅位于所述浮栅和所述控制栅外侧的所述衬底上，且所述字线栅与所述控制栅的至少部分侧面接触以与所述控制栅电性连接，所述字线栅与所述浮栅之间通过介质绝缘；擦除栅，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间；本发明利于分栅快闪存储单元的尺寸缩减。
基本信息
专利标题 ：
分栅快闪存储单元及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388630A
申请号 ：
CN202210039247.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王旭峰于涛李冰寒
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210039247.9
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L21/336 H01L29/423
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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