超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法，其中方法包括：采用硬质掩膜加光刻胶掩膜的结构作为掩膜形成高能量注入区，再采用剩余厚度的掩膜结构和第三氧化硅层作为掩膜形成低能量注入区，且高能量注入区和低能量注入区的注入自对准形成，其中，各所述低能量注入区与所述栅介质层之间的距离大于各所述高能量注入区与所述栅介质层之间的距离。本申请通过利用剩余厚度的掩膜结构和第三氧化硅层作为掩膜注入形成低能量注入区，使得低能量注入区的注入的开口减小，使得低能量注入区相较于高能量注入区更加远离栅介质层，这样可以改善积累区(沟槽栅与外延层的交叠处)的导通电阻，从而降低了器件的导通电阻，提高了器件的可靠性和安全性。
基本信息
专利标题 ：
超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447104A
申请号 ：
CN202210104709.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许昭昭陈正嵘
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210104709.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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