STI沟槽填充方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种STI沟槽填充方法，包括步骤：将衬底置于反应室内，在衬底上形成沟槽；在反应室中利用包含溅射工艺的化学气相淀积工艺在沟槽中填充氧化硅，其中所使用的反应气体包括化学气相淀积工艺使用的氧气和硅烷，以及溅射工艺使用的氢气和氦气；继续向反应室中通入氧气，对所述氧气进行等离子处理，利用高密度氧气等离子体去除氧化硅中残留的硅微粒。本发明的STI沟槽氧化硅填充方法能够去除氧化硅填充膜中残留的硅微粒，从而提高填充膜的质量。

基本信息

专利标题：

STI沟槽填充方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979797A

申请号：

CN200510111130.3

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汪钉崇

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN200510111130.3

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762 H01L21/316

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/76

组件间隔离区的制作

H01L21/762

介电区

法律状态

2019-11-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20080820
终止日期 : 20181205

2011-12-14 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101238306818
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005101111303
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111108

2008-08-20 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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