一种有效填充浅沟道隔离沟槽的方法
公开
摘要
本发明提供一种有效填充浅沟道隔离沟槽的方法，包括：a.提供衬底以及一个或多个浅沟道隔离沟槽；b.在每个浅沟道隔离沟槽内填充氧化物，其中，包括以下步骤：b1.在填充的氧化物完全封闭浅沟道隔离沟槽的顶部之前，停止填充过程；b2.蚀刻填充后的氧化物，以形成开口；b3.进行氧化物填充。步骤b3结束后，若填充氧化物后的浅沟道隔离沟槽内存在空隙，则重复步骤b1‑b3；若填充氧化物后的浅沟道隔离沟槽内不存在空隙，则结束上述步骤。本发明的方法采用重复的打开沟槽内填充氧化物的开口，并重复的进行填充，以达到完全填充且无缝隙的有效填充浅沟道隔离沟槽的方法。
基本信息
专利标题 ：
一种有效填充浅沟道隔离沟槽的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582791A
申请号 ：
CN202011292234.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨捷
申请人 ：
和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨帆
优先权 ：
CN202011292234.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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