浅沟槽隔离化学和机械抛光浆料
授权
摘要
提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)组合物，使用所述组合物的方法，和使用所述组合物的系统。所述组合物包含磨料颗粒，和两个不同组的化学添加剂：非离子有机表面活性剂分子，其包括通过脱水山梨糖醇的乙氧基化形成的聚山梨醇酯型表面活性剂，和在同一分子中具有多个羟基官能团的非离子有机分子。所述组合物提供了高氧化硅去除速率(RR)和抑制的SiN去除速率(RR)。所述组合物提供了良好的图案性能，其以合理的DF提供期望的氧化硅RR，且根据毯覆式晶片数据以甚至更高的DF显示高SiN RR抑制。
基本信息
专利标题 ：
浅沟槽隔离化学和机械抛光浆料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111675969A
申请号 ：
CN202010116036.1
公开（公告）日 ：
2020-09-18
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN111675969B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
J·D·罗斯史晓波周鸿君K·P·穆瑞拉
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN202010116036.1
主分类号 ：
C09G1/02
IPC分类号 ：
C09G1/02 H01L21/3105 B24B7/22 B24B37/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/02
含有磨料或研磨剂
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09G 1/02
申请日 : 20200225
申请日 : 20200225
2020-09-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
