采用深沟槽隔离的图像传感器
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种图像传感器，其包括形成在半导体基体上的像素阵列，该像素阵列也可以形成在半导体基体上的外延层中。其中，若干像素可以在外延层中形成也可以直接在半导体基体上形成并排列成一定图样，并进一步在半导体基体内形成深沟槽隔离，该深沟槽隔离将若干像素中的相邻像素予以分隔，而且该深沟槽隔离可以基本上延伸穿透整个外延层。
基本信息
专利标题 ：
采用深沟槽隔离的图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832187A
申请号 ：
CN200610009134.5
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍华德·E·罗德斯
申请人 ：
豪威科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
广州三环专利代理有限公司
代理人 ：
戴建波
优先权 ：
CN200610009134.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
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法律状态
2012-08-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101446533791
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2006100091345
公开日 : 20060913
号牌文件序号 : 101446533791
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2006100091345
公开日 : 20060913
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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