具有深沟槽耗尽和隔离结构的开关
授权
摘要
本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有深沟槽耗尽和隔离结构的开关及其制造方法。所述结构包括具有在至少一个栅极叠层的源极区和漏极区之下且被衬有掺杂材料的深沟槽隔离结构限定的全耗尽区的体衬底。
基本信息
专利标题 ：
具有深沟槽耗尽和隔离结构的开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108987462A
申请号 ：
CN201710817698.X
公开（公告）日 ：
2018-12-11
申请日 ：
2017-09-12
授权号 ：
CN108987462B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
S·M·尚克A·K·斯塔珀J·J·埃利斯-莫纳甘T·段
申请人 ：
格芯公司
申请人地址 ：
开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
李峥
优先权 ：
CN201710817698.X
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L21/762 H01L21/764
相关图片
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-12-11 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/10
登记生效日 : 20201130
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20201130
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2019-01-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20170912
申请日 : 20170912
2018-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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