浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法
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摘要
本发明提供一种浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法，具体为形成一包括氮衬垫层的无孔穴浅沟槽隔离结构的方法，包括提供一基底，此基底包括一延伸穿过一上部的硬式掩膜层至基底一厚度的STI沟槽，而暴露部分基底。其后，选择性的形成第一绝缘层，当作STI沟槽的位于暴露基底上方的部分的衬垫。接下来，将STI沟槽回填以一第二绝缘层，并平坦化第二绝缘层。后续，进行一湿蚀刻制程以移除上部的硬式掩膜层。本发明所述浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法，可避免在STI沟槽边缘或角落形成孔穴，改善元件的性能和可靠度。
基本信息
专利标题 ：
浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779944A
申请号 ：
CN200510109531.5
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建豪张世勋杨知一陈佳麟李资良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510109531.5
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L27/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2008-03-12 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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