超结沟槽栅MOSFET结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
超结沟槽栅MOSFET结构及其形成方法，其中超结沟槽栅MOSFET的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括漂移区，衬底包括相对的第一面和第二面，第一面暴露出所述漂移区；在漂移区内形成栅极结构和体掺杂区；在栅极结构一侧的漂移区内形成第一辅助掺杂区，第一辅助掺杂区顶部到所述第一面的距离大于体掺杂区底部到第一面的距离，第一辅助掺杂区在第一面具有第一投影图形；分别在栅极结构两侧的漂移区内形成第二辅助掺杂区和第三辅助掺杂区，第二辅助掺杂区位于第一辅助掺杂区和所述体掺杂区之间，第二辅助掺杂区在第一面具有第二投影图形，且第二投影图形在所述第一投影图形范围内。从而降低了光刻工艺难度，提高工艺的微缩能力。
基本信息
专利标题 ：
超结沟槽栅MOSFET结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361240A
申请号 ：
CN202210004841.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许昭昭
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202210004841.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78 H01L21/265 H01L21/324
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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