一种超结沟槽栅MOS的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种超结沟槽栅MOS的制造方法，在高掺杂N型衬底上外延形成N型漂移区；对N型漂移区进行高能P型注入，在N型漂移区底部形成P型注入区；在N型漂移区顶部形成沟槽，在沟槽内壁形成沟槽栅介质层；在沟槽内填充沟槽栅多晶硅层；之后在沟槽两侧注入形成P型体区；在沟槽两侧的P型体区上方进行N型重掺杂注入，形成N型重掺杂区；并经热过程将N型重掺杂区中的杂质激活；之后在N型漂移区和P型体区进行选择性注入形成P‑pillar区；在N型重掺杂区两侧形成接触孔；在接触孔下方的P型体区上进行P型重掺杂注入，经热扩散形成P型重掺杂区，同时激活P‑pillar区中的杂质；在沟槽栅多晶硅层上形成绝缘介质层，之后覆盖金属层，形成源漏端金属层。
基本信息
专利标题 ：
一种超结沟槽栅MOS的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267723A
申请号 ：
CN202111567739.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许昭昭
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202111567739.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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