一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法。隔离沟槽，包括：在沟槽上的氧化物层，在所述氧化物层内的底部的氮化物衬垫，在所述氮化物衬垫内，且与氮化物衬垫的表面齐平的第一氧化物，以及在所述第一氧化物上的第二氧化物；所述第二氧化物与所述氧化物层的表面齐平。通过去除隔离沟槽中的部分沉积物质，再沉积第二氧化物，能够防止变成陷阱的热载流子电子在有源区产生沟道，从而避免热电子穿透效应产生的不良。
基本信息
专利标题 ：
一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361098A
申请号 ：
CN202011089756.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金炫昌刘金彪杨涛贺晓彬唐波王垚
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011089756.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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