浅沟槽隔离结构和掩膜结构

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摘要

本实用新型涉及一种浅沟槽隔离结构及一种掩膜结构，所述浅沟槽隔离结构包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；位于所述第一区域内的第一沟槽，和位于所述第二区域内的第二沟槽，所述第一沟槽的密度大于所述第二沟槽的密度，且所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度相同；填充于所述第一沟槽和所述第二沟槽内的介电层。不同区域内的浅沟槽隔离结构的深度相同，具有相同的隔离效果。

基本信息

专利标题：

浅沟槽隔离结构和掩膜结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921953617.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-13

授权号：

CN210837709U

授权日：

2020-06-23

发明人：

陶大伟

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201921953617.X

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762