沟槽隔离结构的形成方法以及图像传感器的形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种沟槽隔离结构的形成方法以及图像传感器的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括逻辑区和像素区，在所述衬底上依次形成缓冲层、刻蚀停止层和硬掩模层；在所述逻辑区和所述像素区上形成深度相同的第一沟槽和第二沟槽；覆盖所述像素区的第二沟槽，并继续刻蚀所述逻辑区的第一沟槽，以形成第三沟槽，所述第三沟槽为所述第一沟槽的延伸，所述第三沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；在所述第三沟槽和所述第一沟槽内填充保护层，并且所述保护层覆盖所述硬掩模层；采用回刻工艺去除所述硬掩模层和硬掩模层上的保护层，所述回刻工艺停止在所述刻蚀停止层上。
基本信息
专利标题 ：
沟槽隔离结构的形成方法以及图像传感器的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530471A
申请号 ：
CN202210433010.9
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-04-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶磊林子荏林士程
申请人 ：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210433010.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/762
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220424
申请日 : 20220424
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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