耗尽型终端保护结构
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有轻掺杂N型外延，在轻掺杂N型外延上设有重掺杂N型截止环及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体，在轻掺杂N型外延的重掺杂N型截止环及原胞腔体以外的区域上方设有场氧化层，在场氧化层上方设有多晶场板，在场氧化层、重掺杂N型截止环及多晶场板上覆有介质层，在重掺杂N型截止环及多晶场板上分别连接有金属引线，轻掺杂N型外延上设有接零电位的轻掺杂P型阱，该轻掺杂P型阱位于场氧化层的下面且位于重掺杂N型截止环与原胞腔体之间。
基本信息
专利标题 ：
耗尽型终端保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620078010.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-09-26
授权号 ：
CN200956369Y
授权日 ：
2007-10-03
发明人 ：
易扬波李海松
申请人 ：
无锡博创微电子有限公司
申请人地址 ：
214028江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园D栋4层
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
陆志斌
优先权 ：
CN200620078010.8
主分类号 ：
H01L23/58
IPC分类号 ：
H01L23/58 H01L27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
法律状态
2008-12-10 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2006926
2007-10-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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