在同一芯片上建置全耗尽和部分耗尽晶体管
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摘要
本发明揭示一种用于在半导体衬底(104)上形成全耗尽绝缘体上硅(FD－SOI)晶体管(150)和部分耗尽绝缘体上硅(FD－SOI)晶体管(152)的方法，所述方法作为单个集成电路制造工艺流程的一部分。还揭示根据所述方法制造的半导体装置结构。
基本信息
专利标题 ：
在同一芯片上建置全耗尽和部分耗尽晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101151725A
申请号 ：
CN200680009986.2
公开（公告）日 ：
2008-03-26
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍华德·蒂格拉尔
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘国伟
优先权 ：
CN200680009986.2
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/01
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2009-12-23 ：
授权
2008-05-21 ：
实质审查的生效
2008-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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