耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法,所述耗尽型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括:SiC衬底层、N型高掺杂4H‑SiC缓冲层、含超级结结构的N型漂移层、4H‑SiC沟道层、3C‑SiC势垒层;该外延结构具有高电子迁移率,且可降低漏电通道,避免衬底小面生长区域漏电流较大而导致器件失效。

基本信息
专利标题 :
耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284347A
申请号 :
CN202111641498.6
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
左万胜袁松胡新星仇成功刘敏胡涵赵海明钮应喜
申请人 :
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 :
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 :
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 :
尹婷婷
优先权 :
CN202111641498.6
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06  H01L29/16  H01L29/165  H01L29/812  H01L21/338  
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211229
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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