850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括半导体主体、阴极、阳极、钝化薄膜、且该两个金属电极的表面与共面波导电极连接；半导体主体的结构包括依次复合的半绝缘GaAs衬底、缓冲层、阴极接触层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层、阳极接触层。制备方法为：在半绝缘GaAs衬底上依次生长出阴极接触层缓冲层、阴极接触层、过渡层等制得半导体主体；制备环形阳极、第一层台阶、阴极、第二台阶、钝化薄膜、共面波导电极。本发明可以工作于850nm波段，具有低暗电流、高响应度、高响应带宽的特点，能够满足850nm波段短距离光互联系统的需求。

基本信息

专利标题：

850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112420859A

申请号：

CN202011291398.0

公开（公告）日：

2021-02-26

申请日：

2020-11-18

授权号：

CN112420859B

授权日：

2022-05-13

发明人：

陈佰乐谢治阳

申请人：

上海科技大学

申请人地址：

上海市浦东新区华夏中路393号

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司

代理人：

徐俊

优先权：

CN202011291398.0

主分类号：

H01L31/0304

IPC分类号：

H01L31/0304 H01L31/105 H01L31/18