一种无结型自耗尽晶体管及其制备方法

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摘要

本申请涉及晶体管领域，公开了一种无结型自耗尽晶体管及其制备方法，其中，所述器件包括衬底、外延层、与外延层掺杂类型相同的第一多晶硅层、与外延层掺杂类型相反的第二多晶硅层、源极层、第一金属层、第二金属层和绝缘材料；所述器件的制备方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层，在外延层的沟槽内形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，在外延层上形成源极层，在第一衬底的第二表面上形成第一金属层，在第二多晶硅层和源极层上形成第二金属层。申请的器件的第一多晶硅层可以通过电荷平衡实现耐压，第二多晶硅层可以通过自耗尽形成耐压，无需P well掺杂，无pn结，无闩锁效应，器件的雪崩耐量高，电子迁移率高，功率密度高。

基本信息

专利标题：

一种无结型自耗尽晶体管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113725299A

申请号：

CN202111006465.4

公开（公告）日：

2021-11-30

申请日：

2021-08-30

授权号：

CN113725299B

授权日：

2022-04-19

发明人：

任炜强

申请人：

深圳真茂佳半导体有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310

代理机构：

北京维正专利代理有限公司

代理人：

朱鹏程

优先权：

CN202111006465.4

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L23/48 H01L21/336