一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。
基本信息
专利标题 ：
一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497232A
申请号 ：
CN202210088228.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘海生刘兴强段鑫沛林均于致铭罗鹏飞
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
刘芳
优先权 ：
CN202210088228.5
主分类号 ：
H01L29/80
IPC分类号 ：
H01L29/80 H01L21/34
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/80
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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