AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法

授权

摘要

本发明提出了一种AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法，该器件的主要特点是采用了特殊的漂移区即由N型漂移区与N+电流通道组成，同时利用AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气和N+电流通道构造了新的电流通道，并且采用了P型屏蔽层。在正向导通时，P型屏蔽层几乎不会影响N+电流通道，可以获得较低的导通电阻。在器件关断时，随着漏极电压的升高，P型屏蔽层附近的耗尽区扩展，N+电流通路被夹断后，漂移区承担反向偏压，可以获得较高的击穿电压，因此弱化了击穿电压与漂移区浓度之间的矛盾关系。结合以上优势，与传统垂直型场效应晶体管相比，本发明提出的结构能承受更高的耐压，同时具有更低的导通损耗。

基本信息

专利标题：

AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110021660A

申请号：

CN201910304396.1

公开（公告）日：

2019-07-16

申请日：

2019-04-16

授权号：

CN110021660B

授权日：

2022-04-01

发明人：

段宝兴王彦东杨珞云杨银堂

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

陕西省西安市太白南路2号

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司

代理人：

胡乐

优先权：

CN201910304396.1

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/10 H01L21/335