异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法
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摘要
本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区，载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区，沟道区包括“一”部和“1”部，“1”部包括与“一”部连接的第一连接端，以及与第一连接端相对设置的第二连接端，第二连接端通过漏区连接漏极，“1”部的两侧设置有两个栅极，两个栅极与“1”部之间分别设置有两个第一异质介质，栅极和第一异质介质垂直于第二异质介质设置，且第一异质介质与第二异质介质的高度之和与“1”部相等，栅极与第一异质介质高度相等，“一”部两侧分别设置有两个源极。
基本信息
专利标题 ：
异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113571589A
申请号 ：
CN202110843254.X
公开（公告）日 ：
2021-10-29
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
CN113571589B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
段小玲王树龙王刚张进成张涛刘志宏赵胜雷许晟瑞郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
傅晓
优先权 ：
CN202110843254.X
主分类号 ：
H01L29/808
IPC分类号 ：
H01L29/808 H01L21/337 H01L29/10
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/808
申请日 : 20210726
申请日 : 20210726
2021-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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