本发明提供一种具有衬底上复合半导体层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、P型氮化镓层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层；在氮化镓缓冲层与衬底之间设有一层由P型掺杂区域和N型掺杂区域横向排列而成的复合半导体结构层，通过在氮化镓缓冲层与衬底之间引入P型掺杂区域和N型掺杂区域组成的复合结构，可以有效降低缓冲层的泄漏电流和改善沟道与缓冲层的电场分布，从而提高器件的击穿电压，同时不会增加器件的导通电阻。