一种具有复合背势垒层的氮化镓异质结场效应晶体管

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摘要

本发明提出了一种具有复合背势垒层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、p型掺杂氮化镓层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层；在氮化镓缓冲层与衬底之间设有一层由第一铝镓氮区域和第二铝镓氮区域横向排列而成的复合背势垒层且这两个铝镓氮区域存在铝组分差异，通过在氮化镓缓冲层与衬底之间引入第一铝镓氮区域与第二铝镓氮区组成的复合结构，可以有效降低缓冲层的泄漏电流和改善沟道与缓冲层的电场分布，从而提高器件的击穿电压。

基本信息

专利标题：

一种具有复合背势垒层的氮化镓异质结场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111969047A

申请号：

CN202010876214.0

公开（公告）日：

2020-11-20

申请日：

2020-08-27

授权号：

CN111969047B

授权日：

2022-05-24

发明人：

杜江锋刘勇于奇

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

敖欢

优先权：

CN202010876214.0

主分类号：

H01L29/20

IPC分类号：

H01L29/20 H01L29/207 H01L29/06 H01L29/778