氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法，所述氮化镓基异质结场效应晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层；第一绝缘介质层、氮化硅层和第二绝缘介质层，由下至上形成于所述铝镓氮势垒层上；源电极和漏电极，分别形成于所述第一绝缘介质层两侧的铝镓氮势垒层上；栅电极，形成于所述第二绝缘介质层上。本发明的技术方案能够降低成本以及提高晶圆良率。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551584A
申请号 ：
CN202210424332.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李俊
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210424332.7
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/778 H01L29/78 H01L21/335 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220422
申请日 : 20220422
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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