异质结双极晶体管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种异质结双极晶体管，包含：衬底层、埋层、第一外延层；在第一外延层中，设置集电区、浅槽隔离、集电区引出；在第一外延层的上方设有第二外延层；在第二外延层的上方设有发射区，发射区内、下表面、两侧处设置有内部侧墙，发射区两侧外设有外部侧墙；在第二外延层中，设有第一道离子注入区和第二道离子注入区，并在内部侧墙下方有杂质扩展区。本发明还提供了一种异质结双极晶体管的制造方法，在集电区上方形成第二外延层后形成发射区，发射区外侧形成有外侧侧墙；对第二外延层依次进行第一道离子注入和第二道离子注入。据此，能够提高异质结双极晶体管器件的最高震荡频率，并将该器件制造出来。
基本信息
专利标题 ：
异质结双极晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497206A
申请号 ：
CN202210160215.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段文婷
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210160215.4
主分类号 ：
H01L29/737
IPC分类号 ：
H01L29/737 H01L21/331
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/737
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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