降低源极/漏极的晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种新颖晶体管结构和用于制造该结构的方法。所述新颖晶体管结构包括第一和第二源极/漏极(S/D)区域，这些区域的上表面低于所述晶体管结构的沟道区域的上表面。用于制造所述晶体管结构的方法开始于平面半导体层和所述半导体层上的栅极叠层。接着，除去所述栅极叠层的相反侧上的所述半导体层的顶部区域。接着，掺杂所述除去的区域之下的区域，以形成所述晶体管结构的降低的S/D区域。
基本信息
专利标题 ：
降低源极/漏极的晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790739A
申请号 ：
CN200510115133.4
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱慧珑L·克莱文格O·H·多库马奇O·格卢斯陈克夫K·A·库马尔C·J·拉登斯
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510115133.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2012-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101169509617
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101151334
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20100106
终止日期 : 20101110
号牌文件序号 : 101169509617
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101151334
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20100106
终止日期 : 20101110
2010-01-06 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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