在NMOS晶体管和PMOS晶体管的源极和漏极上同时地硅化...
公开
摘要
本文公开了一种用于形成金属氧化物半导体FET(MOSFET)器件的方法和设备。所述形成方法包括利用沉积在n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件和p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件上的硅‑锗种晶层。所述种晶层可以是沉积在NMOS源极区/漏极区和PMOS源极区/漏极区两者上方的一个种晶层或两个掺杂种晶层，其中第一掺杂种晶层沉积在所述PMOS源极区/漏极区上方，并且第二掺杂种晶层沉积在所述NMOS源极区/漏极区上方。所述种晶层使得能够在所述PMOS源极区/漏极区和所述NMOS源极区/漏极区两者上方同时地形成硅化物。所述硅化物形成消耗所述种晶层并且形成组成随所吸收的种晶层的组成而变化的硅化物层。
基本信息
专利标题 ：
在NMOS晶体管和PMOS晶体管的源极和漏极上同时地硅化的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446882A
申请号 ：
CN202111268387.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李学斌
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202111268387.5
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/285 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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