在体半导体衬底中的源极/漏极区下方具有气隙的晶体管
公开
摘要
本发明涉及在体半导体衬底中的源极/漏极区下方具有气隙的晶体管。一种晶体管包括：体半导体衬底；以及位于体半导体衬底中的第一源极/漏极区，其通过沟道区而与体半导体衬底中的第二源极/漏极区分隔开。第一气隙被限定在体半导体衬底中并位于第一源极/漏极区下方；第二气隙被限定在体半导体衬底中并位于第二源极/漏极区下方。栅极位于沟道区上方。第一气隙和第二气隙之间的间隔大于或等于沟道区的长度，使得第一气隙和第二气隙不在沟道区下方。气隙可以具有矩形横截面形状。气隙将体半导体结构的关断电容降低到接近绝缘体上半导体的水平而没有沟道区下方的气隙的缺点。
基本信息
专利标题 ：
在体半导体衬底中的源极/漏极区下方具有气隙的晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628492A
申请号 ：
CN202111507651.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
U·B·拉纳A·K·斯坦珀S·M·尚克S·斯利哈里
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111507651.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/088 H01L21/8234
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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