具有外延源区和漏区的金属栅晶体管

发明专利申请公布后的驳回

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摘要

描述了形成于重掺杂的衬底上的MOS晶体管。在低温处理中使用金属栅以防止衬底的掺杂扩散到晶体管的沟道区。

基本信息

专利标题：

具有外延源区和漏区的金属栅晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101027763A

申请号：

CN200580032453.1

公开（公告）日：

2007-08-29

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

N·林德特J·布拉斯克A·韦斯特梅耶

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈斌

优先权：

CN200580032453.1

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L21/28 H01L29/49 H01L29/417 H01L29/78

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/334

制造单极型器件的台阶式工艺

H01L21/335

场效应晶体管

H01L21/336

带有绝缘栅的

法律状态

2014-03-12 ：

发明专利申请公布后的驳回

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101697107966
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2005800324531
申请公布日 : 20070829

2007-10-24 ：

实质审查的生效

2007-08-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN101027763A.PDF

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