一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法。所述MOS器件包括衬底、外延层、栅极，外延层设置于衬底上且与衬底的导电类型相同，外延层内形成有阱区、沟道掺杂区域、漏区延伸区、漏区和源区；栅极，形成于外延层上；沟道掺杂区域位于栅极的下方，且沟道掺杂区域的导电类型与外延层的导电类型相反；阱区位于沟道掺杂区域的下方且与漏区延伸区相接触，且阱区的导电类型与外延层的导电类型相同；源区的导电类型与衬底的导电类型相反。本发明减少了加工的热过程，简化工艺，提高器件一致性，且抑制了器件的热载流子注入效应，提高了漏区延伸区的掺杂浓度，进一步降低器件的导通电阻，提高器件性能。
基本信息
专利标题 ：
一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335158A
申请号 ：
CN202011047625.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
莫海锋彭虎岳丹诚
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202011047625.5
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/08 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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