晶体管器件的改良凹槽式漏极延伸
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种形成集成电路晶体管(50)的方法。具有侧壁(59x)的栅极结构(54x)形成于相对衬底的第一半导体区域(52)的固定位置。至少第一层(58x，60x)邻近所述侧壁形成。至少一个凹槽(62x)形成于所述第一半导体区域中，并且从所述栅极结构向外横向延伸。所述第一半导体区域的材料被氧化，以便在凹槽中形成氧化材料。所述氧化材料的至少一部分被从所述凹槽剥离，并且第二半导体区域(66x)形成于该凹槽中。
基本信息
专利标题 ：
晶体管器件的改良凹槽式漏极延伸
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101194346A
申请号 ：
CN200580043603.9
公开（公告）日 ：
2008-06-04
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
L·H·霍尔
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200580043603.9
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/4763
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101007037447
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利申请号 : 2005800436039
公开日 : 20080604
号牌文件序号 : 101007037447
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利申请号 : 2005800436039
公开日 : 20080604
2008-07-30 ：
实质审查的生效
2008-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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